射频半导体技术的市场格局近年再次发生了明显变化。数十年来，纵向蔓延金属氧化物半导体（LDMOS）技术在商业应用于中的射频半导体市场领域起主导作用。如今，这种均衡再次发生了改变，硅基氮化镓（GaN－on－Si）技术沦为接任传统LDMOS技术的选用技术。与LDMOS比起，硅基氮化镓的性能优势已牢固确立——它可获取多达70％的功率效率，将每单位面积的功率提升4到6倍，并且可拓展至高频率。
同时，综合测试数据已证实，硅基氮化镓合乎严苛的可靠性拒绝，其射频性能和可靠性可相媲美甚至打破便宜的碳化硅恩氮化镓（GaN－on－SiC）替代技术。硅基氮化镓沦为射频半导体行业前沿技术之时正值商用无线基础设施发展的关键时刻。
硅基氮化镓比起于LDMOS技术的性能优势早已过检验，这推展了其在近期一代4GLTE基站中广泛应用，并使其定位为最合适未来5G无线基础设施的实际胆技术，其轰动性市场影响可能会相比之下远超过手机相连领域，而将投身于运输、工业和娱乐应用于等领域。展望未来，基于硅基氮化镓的射频技术未来将会代替旧式磁控管和火花塞技术，充分发挥烹调、灯光和汽车点燃等商用固态射频能量应用于的价值和潜力，我们坚信上述应用于的能源／燃料效率以及冷却和灯光精度将在旋即的将来再次发生质的进步。
生产和成本效益的突破鉴于5G基础设施改建将以前所未有的节奏和规模展开，人们更加注目硅基氮化镓相对于LDMOS和碳化硅恩氮化镓的成本结构、生产和较慢应付能力以及供应链的灵活性和固有可靠性。作为新一代无线基础设施独一无二的出众半导体技术，硅基氮化镓未来将会以LDMOS成本结构构建出色的氮化镓性能，并且不具备反对大规模市场需求的商业生产拓展能力。MACOM和意法半导体今天牵头宣告将硅基氮化镓技术引进主流射频市场和应用领域的计划，这标志着氮化镓供应链生态系统的最重要转折点，未来不会将MACOM的射频半导体技术实力与ST在硅晶圆生产方面的规模化和出众运营极致融合。我们预计这项协议在不断扩大MACOM供应来源的同时，还将增进不断扩大规模、提升生产能力和成本结构优化，从而加快硅基氮化镓技术在大众市场的普及。
对于无线网络基础设施，这次合作未来将会使硅基氮化镓技术经济高效地部署和扩展到4GLTE基站以及大规模MIMO5G天线领域，其中天线配备的意味著密度对功率和热性能具备极高的价值，特别是在较高频率下。经过必要研发，硅基氮化镓的功率效率优势将对无线网络运营商的基站运营费用产生深远影响。MACOM估算，使用0．1美元／千瓦时的平均值能量亲率模型时，仅有将一年内部署的新大型基站切换为MACOM硅基氮化镓技术一项之后可节省多达1亿美元的费用。
新时代硅基氮化镓从早期研发到商业规模应用于的发展历程毫无疑问是一次最不具颠覆性的技术革新过程，为射频半导体行业首创了一个新时代。通过与ST达成协议的协议，MACOM硅基氮化镓技术将取得独有优势，需要符合未来4GLTE和5G无线基站基础设施对于性能、成本结构、生产能力和供应链灵活性的拒绝，在固态射频能量应用领域享有无限潜力。硅基氮化镓获取的射频解决方案具备LDMOS和碳化硅恩氮化镓竞争技术无法媲美的价格／性能指标，而这意味着是冰山一角。
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